Luận Án Tiến Sĩ Chế Tạo, Nghiên Cứu Tính Chất Quang Và Định Hướng Ứng Dụng Trong Tán Xạ Raman Tăng Cường Bề Mặt

Discussion in 'Chuyên Ngành Vật Liệu Điện Tử' started by quanh.bv, Jun 22, 2016.

  1. quanh.bv

    quanh.bv Guest

    [​IMG]
    Chế Tạo, Nghiên Cứu Tính Chất Quang Và Định Hướng Ứng Dụng Trong Tán Xạ Raman Tăng Cường Bề Mặt Của Các Hệ Dây Nano Silic Xếp Thẳng Hàng
    Dây nanô silic (silicon nanowire –SiNW) thuộc nhóm vật liệu nanô một chiều (1D) với diện tích bề mặt hiệu dụng cao, trong đó các hạt tải bị giới hạn trong hai chiều và tự do trong chiều còn lại. Sự thu nhỏ về kích thước của vật liệu SiNW so với vật liệu khối làm cho các tính chất điện, quang và nhiệt của SiNW có nhiều điểm khác biệt và nổi trội hơn hẳn so với Si khối. Các hệ SiNW xếp thẳng hàng (aligned SiNW - ASiNW) là các hệ SiNW có trật tự, xếp thành hàng lối với nhau. Sự sắp xếp có trật tự của các SiNW không chỉ làm tăng độ ổn định, sự lặp lại trong các lần chế tạo mà còn giúp cho các tính chất của ASiNW sẽ có nhiều điểm ưu việt và độc đáo hơn so với SiNW mất trật tự. Nhờ có những tính chất này nên ASiNW trở thành ứng cử viên đầy hứa hẹn cho các ứng dụng trong nhiều lĩnh vực như các thiết bị điện tử tiên tiến, cảm biến y sinh, thiết bị quang điện tử, và pin mặt trời.
    • Luận án tiến sĩ vật liệu,
    • Chuyên ngành vật liệu điện tử
    • Người hướng dẫn khoa học: GS. TS. Đào Trần Cao
    • Tác giả: Lương Trúc Quỳnh Ngân
    • Số trang: 187
    • Kiểu file: PDF
    • Ngôn ngữ: Tiếng Việt
    • Viện Khoa học Vật liệu 2016
    Link Download
    http://luanvan.moet.edu.vn/?page=1.9&view=26430

     

Share This Page