Luận Án Tiến Sĩ Chế Tạo Và Khảo Sát Cơ Chế Truyền Dẫn Điện Tích Và Đảo Điện Trở Thuận Nghịch Tương Ứng Của Màng Mỏng

Chế Tạo Và Khảo Sát Cơ Chế Truyền Dẫn Điện Tích Và Đảo Điện Trở Thuận Nghịch Tương Ứng Của Màng Mỏng Ô Xít Crôm Hướng Đến Ứng Dụng Trong Bộ Nhớ Điện Tử​

Bộ nhớ điện tử truy cập ngẫu nhiên không khả biến (nonvolatile memories) đã được nghiên cứu và phát triển dựa trên các tính chất vật lý của vật liệu như tính chất sắt điện (Ferroelectric random access memory - FRAM), từ tính (Magnetic random access memory - MRAM), biến đổi pha (Phase change random access memory - PRAM) và điện trở (Resistive random access memory - RRAM)...Trong các loại bộ nhớ kể trên, các nghiên cứu thế giới cho thấy bộ nhớ RRAM có sự phát triển nhanh về dung lượng lưu trữ, tốc độ ghi/xóa nhanh, mật độ tích hợp cao… Phần tử nhớ của bộ nhớ RRAM có cấu trúc đơn giản là cấu trúc tụ điện. Cơ chế ghi và xóa dữ liệu của phần tử nhớ dựa trên sự đảo điện trở thuận nghịch giữa hai trạng thái điện trở cao (HRS) và điện trở thấp (LRS) dưới tác dụng của điện trường ngoài. Các nghiên cứu thế giới cũng chỉ ra rằng kỹ thuật chế tạo phần tử nhớ khá đơn giản như kỹ thuật phún xạ, sol - gel, xung laser, lắng đọng hơi hóa học, ... tương thích với công nghệ bán dẫn hiện tại (CMOS) [1-2].

• Luận án tiến sĩ khoa học
• Chuyên ngành Khoa học vật liệu
• Mã số ngành: 62440122
• Tác giả: Phạm Kim Ngọc
• Hướng dẫn: Pgs. Ts. Phan Bách Thắng, Pgs. Ts Trần Cao Vinh
• 164 Trang
• File PDF
• Trường ĐH KHTN TPHCM 2017

Link Download
http://thuvienso.thuvientphcm.gov.vn/xem-chi-tiet-tai-lieu/pham-kim-ngoc-5741-6249-4-0-0-0.html
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1