Luận Án Tiến Sĩ Chế Tạo Và Nghiên Cứu Các Đặc Tính Của Dây Nano Si

Discussion in 'Chuyên Ngành Vật Liệu Điện Tử' started by quanh.bv, Jun 17, 2017.

  1. quanh.bv

    quanh.bv Guest

    [​IMG]
    Chế Tạo Và Nghiên Cứu Các Đặc Tính Của Dây Nano Si
    1. Việc tổng hợp SiNW bằng phương pháp bốc bay nhiệt đã được nghiên cứu một cách tương đối có hệ thống. Cụ thể, đã lần lượt khảo sát ảnh hưởng của chiều dày lớp kim loại xúc tác, nhiệt độ tổng hợp, thời gian tổng hợp, lưu lượng khí mang, thành phần nguồn rắn đến hình thái, cấu trúc và tính chất của dây nanô silic. Trên cơ sở đó, có thể chọn chế độ công nghệ thích hợp cho sản phẩm dây nanô silic với đặc tính nhất định.
    2. Về lý luận, những kết quả của luận án đã góp phần làm sáng tỏ cơ chế phát quang của SiNW nói riêng và của các cấu trúc nanô silic nói chung. Các đỉnh phổ ở vùng bước sóng ngắn từ 400÷650 nm có liên quan đến các sai hỏng, các exciton tự bẫy và có sai hỏng do nút khuyết ôxi. Trong khi đó, sự phát xạ ở vùng bước sóng dài có thể liên quan đến hiện tượng giam giữ lượng tử trong lõi Si cho các trường hợp SiNW có đường kính nhỏ hoặc/và liên quan đến các cụm nano silic trong mạng nền SiOx. Từ đó đã thấy rằng sự phát quang này liên quan chặt chẽ với lớp ôxít silic được hình thành trên bề mặt mẫu do quá trình ôxi hóa trong quá trình tổng hợp.
    • Luận án tiến sĩ Vật liệu
    • Chuyên ngành Vật liệu Điện tử
    • Người hướng dẫn khoa học: GS.TS. Nguyễn Đức Chiến, PGS.TS. Nguyễn Hữu Lâm
    • Tác giả: Nguyễn Thị Thúy
    • Số trang: 136
    • Kiểu file: PDF
    • Ngôn ngữ: Tiếng Việt
    • Đại học Bách Khoa Hà Nội 2017
    Link Download
    http://luanvan.moet.edu.vn/?page=1.9&view=28661

     

Share This Page