Luận Văn Thạc Sĩ Đánh Giá Vai Trò Và Thiết Kế Lớp Điện Môi Cực Cổng Dị Cấu Trúc Trong Các Transistor Hiệu Ứng Trường

Đánh Giá Vai Trò Và Thiết Kế Lớp Điện Môi Cực Cổng Dị Cấu Trúc Trong Các Transistor Hiệu Ứng Trường Xuyên Hầm Có Cấu Trúc Khác Nhau​

Một trong những linh kiện điện tử hiện được xem là tiềm năng cho các mạch tích hợp công suất thấp là transistor hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET) vì độ dốc dưới ngưỡng (SS) của nó ở nhiệt độ phòng có thể nhỏ hơn nhiều so với giá trị 60 mV/decade. Với độ dốc dưới ngưỡng có thể nhỏ, người ta hy vọng rằng hiệu điện thế ngưỡng của TFET có thể được giảm đáng kể để đảm bảo dòng mở và hiệu điện thế tăng tốc đủ lớn trong khi vẫn duy trì dòng rò nhỏ. Tuy vậy, cơ chế xuyên hầm cũng đồng thời là lý do khiến dòng mở của TFET thấp vì xác suất xuyên hầm là tương đối nhỏ.

• Luận văn thạc sĩ Vật lý
• Chuyên ngành Vật lý kỹ thuật
• Người hướng dẫn: PGS.TS. Nguyễn Đăng Chiến
• Tác giả: Huỳnh Thị Hồng Thắm
• Số trang: 102
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Học viện Khoa học và Công nghệ 2020

Link Download
https://drive.google.com/uc?id=1H7d5RnBZn2jQpb52Hn2hDRR1GDxsDrhL
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1