Luận Án Tiến Sĩ Hiện Tượng Xuyên Ngâm Spin Và Các Tính Chất Liên Quan Trong Các Kiểu Cấu Trúc MTJ

Hiện Tượng Xuyên Ngâm Spin Và Các Tính Chất Liên Quan Trong Các Kiểu Cấu Trúc MTJ​

1. Chế tạo thành công các cấu trúc xuyên ngầm từ dạng hạt (GMTJ), cấu trúc xuyên ngầm từ dạng lai lớp hạt (HMTJ), cấu trúc xuyên ngầm từ dạng rào thế kép (DBMTJ) và nghiên cứu một số đặc trưng, tính chất về cấu trúc, tính chất từ, tính chất điện và từ - điện của các cấu trúc từ nano tiếp xúc dị thể này.
2. Đã phát hiện, ghi nhận được một số hiện tượng vật lý spin nổi bật như sau trong các kiểu cấu trúc MTJ khác nhau:
+ Hiện tượng xuyên ngầm spin với các hiệu ứng chắn Coulomb và biểu hiện của sự nắn dòng spin kiểu đi-ốt ở cấu trúc GMTJ sử dụng vật liệu CoFe-Al2O3.
+ Hiện tượng xuyên ngầm phụ thuộc spin bởi dòng xoay chiều, phụ thuộc vào tỷ lệ hạt nano sắt từ và chiều dày của lớp rào thế dạng hạt và từ trường ngoài ở các cấu trúc HMTJ sử dụng vật liệu Co/Co-Al2O3/Co.
+ Hiện tượng xuyên ngầm phụ thuộc spin kiểu hộp đơn điện tử, chắn Coulomb, chắn spin, truyền xoắn spin ở cấu trúc DBMTJ sử dụng vật liệu Co/Al2O3/Co/Al2O3/Co.
3. Kết quả đạt được có thể gợi ý một số khả năng ứng dụng như: đi-ốt xuyên ngầm từ, tụ điện điều biến bằng từ trường, cảm biến từ và bộ nhớ đơn spin.

• Luận án tiến sĩ Kỹ thuật
• Chuyên ngành Vật liệu điện tử
• Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS. Nguyễn Anh Tuấn, PGS.TS. Đỗ Phương Liên
• Tác giả: Nguyễn Tuấn Anh
• Số trang: 119
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Bách Khoa Hà Nội 2016

Link Download
http://luanvan.moet.edu.vn/?page=1.12&view=27204
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1