Luận Văn Thạc Sĩ Khảo Sát Cấu Hình Nhám Thông Qua Tỉ Số Độ Rộng Phổ Trong Giếng Lượng Tử InN-GaN

Hiện nay, một trong những cấu trúc được ứng dụng nhiều nhất trong công nghệ chế tạo các linh kiện điện tử và quang điện tử đó là cấu trúc giếng lượng tử. Nó được ứng dụng nhiều vì phổ năng lượng của nó gián đoạn và có thể thay đổi được khi thay đổi độ rộng của các lớp bán dẫn [?]. Cấu trúc giếng lượng tử là cấu trúc giam giữ hạt vi mô một chiều bởi việc ghép các lớp bán dẫn mỏng khác nhau. Sự giam giữ hạt tải như vậy làm cho các mức năng lượng bị lượng tử hóa theo hướng nuôi tinh thể trong mẫu nuôi, dẫn đến chuyển dời quang giữa các mức năng lượng này là có thể. Ngoài ra việc giam giữ này còn thay đổi tính chất của hạt tải theo hướng ưu việt hơn.

• Luận văn thạc sĩ vật lý
• Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán
  
• Người hướng dẫn: PGS.TS Đinh Như Thảo
• Tác giả: Đinh Thị Kim Chi
• Số trang: 64
  
• Kiểu file: PDF_TRUE
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Sư phạm - Đại học Huế 2017

Link Download
https://drive.google.com/file/d/1Ufp0JSrFVgYZl2mcZIfLrCUnhS6lhj1I
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1