Luận Văn Thạc Sĩ Khảo Sát Cấu Hình Nhám Từ Cường Độ Hấp Thụ Tích Hợp Trong Giếng Lượng Tử InGaAs-GaAsSb

Discussion in 'Chuyên Ngành Vật Lý Lý Thuyết & Vật Lý Toán' started by quanh.bv, Jul 29, 2022.

  1. quanh.bv

    quanh.bv Administrator Quản Trị Viên

    upload_2022-7-29_1-24-10.png
    Ngày nay, vật liệu bán dẫn đóng vai trò rất quan trọng và không thể thiếu trong việc chế tạo linh kiện điện tử. Tuy nhiên việc sử dụng vật liệu bán dẫn khối chưa đáp ứng được yêu cầu tạo ra các linh kiện có tốc độ xử lý nhanh, độ bền cao và kích thước nhỏ. Từ đầu những năm 1990 trỏ lại đây vật liệu bán dẫn nano được tập trung nghiên cứu để tìm ra các tính chất quan trọng cho khả năng ứng dụng của chúng trong chế tạo các linh kiện điện tử, quang điện tử đáp ứng tốt các yêu cầu kỹ thuật [5]. Việc nghiên cứu các tính chất cơ bản trong cấu trúc nano là rất cần thiết để đáp ứng được yêu cầu tạo ra linh kiện siêu nhanh, siêu tiết kiệm, siêu bền và siêu nhỏ
    • Luận văn thạc sĩ vật lý
    • Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán
    • Người hướng dẫn: PGS.TS. Đinh Như Thảo
    • Tác giả: Lê Nguyễn Thị Trà My
    • Số trang: 61
    • Kiểu file: PDF_TRUE
    • Ngôn ngữ: Tiếng Việt
    • Đại học Sư phạm - Đại học Huế 2018
    Link Download
    https://drive.google.com/file/d/13do-kkBVjhWA2keAZ5ioS_3LG5vJZzot
    https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1
     

Share This Page