Luận Văn Thạc Sĩ Khảo Sát Sự Phụ Thuộc Hiệu Suất Ghi Vào Kích Thước Hình Học Của Detector Nhấp Nháy

Khảo Sát Sự Phụ Thuộc Hiệu Suất Ghi Vào Kích Thước Hình Học Của Detector Nhấp Nháy Bằng Phương Pháp Monte Carlo​

Trong lĩnh vực vật lý hạt nhân, ghi nhận bức xạ hạt nhân đóng vai trò quan trọng trong việc nghiên cứu các đặc trưng của tia bức xạ. Chính vì vậy, các nhà khoa học đã nghiên cứu chế tạo các thiết bị ghi nhận bức xạ hạt nhân. Ban đầu, các detector chỉ dùng để xác nhận sự có mặt của chùm bức xạ tia X và tia gamma, sau đó là xác định cường độ của các chùm tia này. Ngày nay, các detector không chỉ dừng lại ở việc phát hiện mà còn cho phép ta xác định đặc trưng phân bố độ cao xung theo năng lượng tia X và tia gamma. Hiệu suất ghi nhận bức xạ hạt nhân của các detector phụ thuộc vào nhiều yếu tố khác nhau như loại detector (detector nhấp nháy, bán dẫn,...) hay năng lượng tia bức xạ, khoảng cách từ nguồn phát bức xạ tới detector. Đối với detector nhấp nháy, hiệu suất ghi phụ thuộc vào nhiều yếu tố như loại tinh thể nhấp nháy; kích thước, hình dạng của tinh thể....Đối với detector bán dẫn, hiệu suất ghi phụ thuộc vào loại bán dẫn như Si(Li), Ge(Li), HPGe...

• Luận văn thạc sĩ vật lý
• Chuyên ngành Vật lý nguyên tử hạt nhân và năng lượng cao
• Người hướng dẫn: PGS. TS. Nguyễn Minh Cảo
• Tác giả: Trần Minh Tiến
• Số trang: 71
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Sư Phạm TP. Hồ Chí Minh 2010

Link Download
http://nitroflare.com/view/B0EE79884279510
https://drive.google.com/uc?id=1NIWcuqjFlNK35RZh0SufR5UmN81UFanv
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1