Luận Văn Thạc Sĩ Khảo Sát Tính Chất Quang Và Điện Của Màng A1N Được Chế Tạo Bằng Phương Pháp Phún Xạ Phản Ứng DC

Thời gian gần đây, vật liệu áp điện được quan tâm nghiên cứu rất nhiêu trên thế giới và tại Việt Nam [1] bởi những tính chất đặc biệt của nó có thể áp dụng trong việc chế tạo sensor siêu âm, chế tạo thiết bị chuyển đôi năng lượng cơ - điện [1]. Tuy nhiên, các vật liệu áp điện thông thường thường ở dạng gôm phù hợp cho vật liệu khối như PZT, BTO...và rất khó để chế tạo thành dạng màng mỏng đề phục vụ cho các ứng dụng dạng màng như sensor hay thiết bị micro MEMS. Trong số các vật liệu áp điện mới được thử nghiệm như ZnO hay AIN thì AlN được chú ý hơn cả bởi hệ số áp điện vừa đủ và đặc biệt việc chế tạo mảng AIN không quá khó, ngoài ra màng mỏng AIN còn thể hiện tính bán dẫn vùng cấm rộng rất phù hợp cho các ứng dụng quang học và áp điện

• Luận văn thạc sĩ vật lý
• Chuyên ngành Quang học
• Người hướng dẫn: TS. Đặng Văn Sơn
• Tác giả: Nguyễn Thị Khánh Linh
• Số trang: 63
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Khoa học - Đại học Thái Nguyên 2019

Link Download
http://tailieudientu.lrc.tnu.edu.vn...g-phuong-phap-phun-xa-phan-ung-dc-146534.html
https://drive.google.com/uc?id=1JGPeXO5Suq2BnUltqQZ4yqRAFRj9uiZw
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1