Luận Án Tiến Sĩ Mô Phỏng Transistor Ống Nanô Carbon Đồng Trục

Mô Phỏng Transistor Ống Nanô Carbon Đồng Trục​

Ngành công nghiệp bán dẫn trên thế giới đang tiếp tục xu hướng thu nhỏ kích thước, giảm công suất tiêu thụ, giảm điện áp nguồn nuôi, giảm giá thành, tăng mật độ tích hợp, tăng khả năng đáp ứng tần số và mở rộng dải nhiệt độ làm việc của linh kiện. Tuy nhiên, việc giảm kích thước của MOSFET đến thang nanômét (nm) là có giới hạn vì những lý do sau: - Điện trường cao, do thế thiên áp đặt vào trên một khoảng cách rất ngắn có thể đánh thủng thác lũ tạo nên tràn dòng và hỏng linh kiện. Mặt khác, ở nhiệt độ môi trường luôn luôn có nhiễu do nhiệt độ gây ra vào khoảng 25 mV. Muốn transistor làm việc ổn định ở nhiệt độ phòng, điện áp tác dụng lên nó cần phải lớn hơn điện thế nhiễu ít nhất là bốn năm lần, tức cỡ trên 100mV. Khi thu nhỏ kích thước, các điện cực càng gần nhau hơn, điện thế cỡ 100 mV vẫn gây nên điện trường đủ lớn để đánh thủng chất bán dẫn.

• Luận án tiến sĩ Vật lý
• Chuyên ngành Vật lý vô tuyến và điện tử
• Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS. Đinh Sỹ Hiền
• Tác giả: Nguyễn Thị Lưỡng
• Số trang: 117
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Khoa học Tự nhiên 2010

Link Download
https://drive.google.com/uc?id=1GZur_FeJoGUb57Ryx_5oOJB6ZRNAPiPh
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1