Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Ảnh Hưởng Của Lớp Chức Năng Nano Zno Đến Hoạt Động Của Pin Mặt Trời Màng Mỏng

Discussion in 'Chuyên Ngành Vật Lý Kỹ Thuật' started by quanh.bv, Jul 10, 2016.

  1. quanh.bv

    quanh.bv Guest

    [​IMG]
    Nghiên Cứu Ảnh Hưởng Của Lớp Chức Năng Nano Zno Đến Hoạt Động Của Pin Mặt Trời Màng Mỏng Glass/TCO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me Lắng Đọng Bằng Phương Pháp USPD-ILGAR
    1. Lần đầu tiên đã chế tạo thử nghiệm thành công pin mặt trời màng mỏng cấu trúc kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me bằng phương pháp USPD-ILGAR và đạt được các thông số quang điện sau: VOC  425mV, JSC  8,7mA/cm2, ff49,5% và 1,84%.
    2. Lớp cửa sổ ZnO, ZnO:In và ZnO:Al được lắng đọng bằng phương pháp USPD
    3. Lớp đệm CdS được lắng đọng bằng phương pháp USPD-ILGAR
    4. Lần đầu tiên, trên cơ sở phương pháp USPD-ILGAR, chúng tôi đã đưa ra mô hình một chiều mô tả các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2. Các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 đã được khảo sát bằng phương pháp phổ trở kháng phức CIS và nhận được thông tin hữu ích sau đây:
    5. Cấu trúc của lớp nano ZnO đã ảnh hưởng rõ rệt đến phân biên CdS/CuInS2. Nồng độ muối kẽm acetat CM=0,01M là nồng độ tối ưu để nhận được phân biên ZnO/CdS có ít sai hỏng hóa học hơn cả.
    • Luận án tiến sĩ Vật lý,
    • Chuyên ngành Vật lý kỹ thuật
    • Người hướng dẫn khoa học: GS.TS Võ Thạch Sơn
    • Tác giả: Lưu Thị Lan Anh
    • Số trang: 136
    • Kiểu file: PDF
    • Ngôn ngữ: Tiếng Việt
    • Đại học Bách Khoa Hà Nội 2014
    Link Download
    http://luanvan.moet.edu.vn/?page=1.13&view=15518
    https://drive.google.com/uc?id=1wyeOj1VObBz3McyPXIsOvVvaFdPo_7Wl
    https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1
     
    Last edited by a moderator: Nov 8, 2019

Share This Page