Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Biến Tính Dây NANO SNO2, WO3 Nhằm Ứng Dụng Cho Cảm Biến Khí H2S VÀ NO2

Discussion in 'Chuyên Ngành Kỹ Thuật Công Nghệ' started by quanh.bv, Aug 27, 2016.

  1. quanh.bv

    quanh.bv Guest

    [​IMG]
    Nghiên Cứu Biến Tính Dây NANO SNO2, WO3 Nhằm Ứng Dụng Cho Cảm Biến Khí H2S VÀ NO2
    Cảm biến dây nano SnO2 được chế tạo thành công bằng phương pháp mọc trực tiếp trên điện cực (on-chip), sau đó được biến tính bề mặt với các hạt nano NiO bằng cách nhỏ phủ dung dịch NiCl2 rồi xử lý nhiệt ở 600°C. Cảm biến khí trên cơ sở vật liệu dây nano SnO2biến tính với NiO cho thấy khả năng nhạy khí H2S rất tốt với độ đáp ứng rất cao, độ chọn lọc tốt và thời gian hồi phục nhanh. Sự tăng cường độ đáp ứng khí H2S của cảm biến là do hoạt tính xúc tác của các hạt nickel oxit và sự hình thành các đa chuyển tiếp n-p-n-p.Kết quả này đã được công bố trong bài báo “Giant enhancement of H2S gas response by decorating n-type SnO2 nanowires with p-type NiO nanoparticles” [N.V. Hieu, P.T.H. Van và cộng sự, Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 253106. IF2014: 3,30].
    • Luận án tiến sĩ Vật liệu
    • Chuyên ngành Vật liệu điện tử
    • Người hướng dẫn khoa học: GS. TS. Nguyễn Văn Hiếu
    • Tác giả: Phùng Thị Hồng Vân
    • Số trang: 139
    • Kiểu file: PDF
    • Ngôn ngữ: Tiếng Việt
    • Đại học Bách khoa Hà Nội 2016
    Link Download
    http://sdh.hust.edu.vn/home/default.aspx?scid=23&CategoryID=117&nid=1622

    https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1
     
    Last edited by a moderator: Sep 22, 2016

Share This Page