Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Chế Tạo Cảm Biến Khí H2 Và H2S Trên Cơ Sở Màng Sno2 Biến Tính Đảo Xúc Tác Micro-Na

Nghiên Cứu Chế Tạo Cảm Biến Khí H2 Và H2S Trên Cơ Sở Màng Sno2 Biến Tính Đảo Xúc Tác Micro-Na​

1. Chế tạo được bộ mặt nạ và đưa ra được quy trình chuẩn phù hợp với công nghệ vi điện tử cho quá trình công nghệ chế tạo cảm biến trên cơ sở phún xạ hoạt hóa kết hợp với công nghệ vi điện tử. Trên cơ sở đó chúng tôi đã chế tạo thành công cảm biến khí trên cơ sở màng mỏng SnO2 có đảo xúc tác kích cỡ micro - nano. Cảm biến hoạt động ổn định và công suất tiêu thụ thấp. Bằng phương pháp này chúng tôi có thể chế tạo được số lượng lớn cảm biến có quy mô kích cỡ wafer (hơn 350 chíp cảm biến được chế tạo trong cùng một đợt công nghệ).
2. Khảo sát đặc trưng nhạy khí của cảm biến trên cơ sở màng mỏng SnO2 có các chiều dày khác nhau với nhiều loại khí ở các nồng độ và nhiệt độ đo khác nhau. Qua đó tìm được chiều dày màng mỏng tối ưu để ứng dụng cho các kết quả nghiên cứu sau này. Kết quả thu được cho thấy cảm biến hoạt động tốt và có độ ổn định cao. Tuy nhiên độ đồng đều của cảm biến chưa được tốt do điều kiện công nghệ chế tạo bị hạn chế.

• Luận án tiến sĩ Vật liệu
• Chuyên ngành Vật liệu điện tử
• Người hướng dẫn khoa học: GS. TS. Nguyễn Văn Hiếu, PGS. TS. Nguyễn Văn Quy
• Tác giả: Nguyễn Văn Toán
• Số trang: 127
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Bách khoa Hà Nội 2016

Link Download
http://sdh.hust.edu.vn/home/default.aspx?scid=23&CategoryID=117&nid=1625
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1