Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Chế Tạo Và Một Số Tính Chất Của Dây Nano Si và Si-Er3+

Discussion in 'Chuyên Ngành Vật Liệu Điện Tử' started by quanh.bv, Jun 16, 2016.

  1. quanh.bv

    quanh.bv Guest

    [​IMG]
    Nghiên Cứu Chế Tạo Và Một Số Tính Chất Của Dây Nano Si và Si-Er3+
    Trong luận án này, dây nano Si được chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt sử dụng ba loại vật liệu nguồn khác nhau là bột SiO, bột Si trộn với bột SiO2 và bột Si trộn với C. Chúng tôi thấy rằng dây nano Si có thể chế tạo với hiệu suất cao sử dụng vật liệu nguồn Si trộn với C ở nhiệt độ 1200 oC. 2. Đây là lần đầu tiên, dây nano Si có cấu trúc lõi vỏ Si-SiO2 và có cấu trúc lớp Si/SiOx trong lõi của dây nano Si được quan sát thấy và chúng tôi đã đưa ra một mô hình cấu trúc và cơ chế mọc cho dây nano
    • Luận án tiến sĩ điện tử,
    • Chuyên ngành Vật liệu điện tử
    • Người hướng dẫn khoa học: PGS. TS. Phạm Thành Huy, TS. Trần Ngọc Khiêm
    • Tác giả: Phạm Văn Tuấn
    • 131 Trang
    • Kiểu file: PDF
    • Ngôn ngữ: Tiếng Việt
    • Đại học Bách Khoa Hà Nội 2015
    Link Download
    http://luanvan.moet.edu.vn/?page=1.12&view=25001

    https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1
     

Share This Page