Luận Văn Thạc Sĩ Nghiên Cứu Chế Tạo Và Một Số Tính Chất Từ Và Điện Của Cấu Trúc MTJ Kép

Trong lĩnh vực điện tử học bán dẫn, các cấu trúc kiểu tụ điện có rào thế kép, các đi-ốt xuyên ngầm cộng hưởng có cấu trúc rào thế kép hay các linh kiện CMOS có cấu trúc rào thế kép đã được nghiên cứu và sử dụng từ lâu, đặc biệt là trong lĩnh vực điện tử tần số cao [1]. Ưu điểm chính của các cấu trúc rào thế kép là tăng cường mật độ dòng xuyên ngầm và giảm nhiễu nền (noise) của các linh kiện [2]. Với sự phát triển của công nghệ nano và điện tử học nano (nanoelectronics), các cấu trúc rào thế kép tiếp tục được nghiên cứu mạnh mẽ bởi khả năng ứng dụng hiệu ứng chắn Coulomb cho mục đích tạo ra các linh kiện siêu cao tần, và đặc biệt là các linh kiện vận chuyển đơn điện tử (single electron transport, SET)

• Luận văn thạc sĩ vật liệu
• Chuyên ngành Khoa học vật liệu
  
• Người hướng dẫn khoa học: TS. Nguyễn Anh Tuấn
• Tác giả: Vũ Thị Hoài Hương
• Số trang: 73
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Bách khoa Hà Nội 2009

Link Download
http://dlib.hust.edu.vn/handle/HUST/13299
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1