Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Chế Tạo Vật Liệu Dẫn Điện Trong Suốt Và Vật Liệu Hấp Thụ Ánh Sáng Nhằm Sử Dụng Trong Pin

Nghiên Cứu Chế Tạo Vật Liệu Dẫn Điện Trong Suốt Và Vật Liệu Hấp Thụ Ánh Sáng Nhằm Sử Dụng Trong Pin Mặt Trời CZTSe​

. Đã chế tạo được lớp màng ITO bằng phương pháp phún xạ và lớp màng nanocomposite AgNW/ITO bằng phương pháp phún xạ & kỹ thuật in gạt. Màng ITO có giá trị điện trở bề mặt là 17,6 Ω/ ; điện trở suất là 4,4.10-4 Ω.cm và độ truyền qua là 84,3% ở bước sóng 550 nm. Màng AgNW/ITO dày 1000 nm có điện trở bề mặt 13,5 Ω/ và độ truyền qua ~ 70 %. Màng ITO và AgNW/ITO thích hợp để làm lớp điện cực cửa sổ trong pin mặt trời CZTSSe.
2. Đã chế tạo được hạt nano CZTSe (Cu(Zn,Sn)Se2) có kích thước nhỏ hơn 30 nm và tỷ lệ Cu/(Zn+Sn) = 0,7 - 0,85 thấp bằng phương pháp phun nóng.
3. Đã chế tạo được lớp hấp thụ ánh sáng tạo từ hạt CZTSe bằng phương pháp in gạt. Lớp hấp thụ ánh sáng được xử lý 30 phút ở 500 °C, trong môi trường khí N2 và hơi Se thích hợp sử dụng trong chế tạo pin mặt trời CZTSe.

• Luận án tiến sĩ Vật liệu
• Chuyên ngành Khoa học Vật liệu
• Người hướng dẫn khoa học: PGS. TS. Nguyễn Duy Cường, TS. Nguyễn Hữu Dũng
• Tác giả: Nguyễn Thị Thu Hiền
• Số trang: 127
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Bách khoa Hà Nội 2020

Link Download
http://luanvan.moet.edu.vn/?page=1.9&view=34705
https://drive.google.com/uc?id=1X91UM6MmiHuw2qgFlDhFrTIviaEuAdrp
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1