Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Hiệu Suất Ghi Nhận Của Detector Bán Dẫn Siêu Tinh Khiết (HPGE) Trong Phổ Kế Gamma

Nghiên Cứu Hiệu Suất Ghi Nhận Của Detector Bán Dẫn Siêu Tinh Khiết (HPGE) Trong Phổ Kế Gamma Bằng Phương Pháp Monte Carlo Và Thuật Toán Di Truyền​

Việc chế tạo thành công các loại detector bán dẫn germanium siêu tinh khiết (high purity germanium - HPGe) với độ phân giải và hiệu suất đếm cao vào những năm 1980 là một bước ngoặc trong lịch sử phát triển các thiết bị ghi nhận bức xạ tia X và tia gamma vì nó đã cải thiện đáng kể độ chính xác của các phép phân tích bằng phương pháp hạt nhân [46]. Phần chính của detector HPGe là tinh thể germanium siêu tinh khiết với mật độ tạp chất chỉ vào khoảng 1010 nguyên tử/cm3 và giống như một diode khổng lồ có cấu trúc gồm 3 vùng P (positive), I (intrinsic) và N (negative) làm việc ở chế độ phân cực nghịch.

• Luận án tiến sĩ Vật lý
• Chuyên ngành Vật lý Hạt nhân
• Người hướng dẫn khoa học: PGS. TS. Ngô Quang Huy, TS. Đỗ Quang Bình
• Tác giả: Võ Xuân Ân
• Số trang: 181
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Khoa học Tự nhiên 2008

Link Download
https://drive.google.com/uc?id=1cSJUIw0_HESXkzlVMe8DEfzatp5XTDXR
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1