Luận Văn Thạc Sĩ Nghiên Cứu Hiệu Ứng Stark Quang Học Trong Chấm Lượng Tử InN-GaN

Discussion in 'Chuyên Ngành Vật Lý Lý Thuyết & Vật Lý Toán' started by quanh.bv, Jul 28, 2022.

  1. quanh.bv

    quanh.bv Administrator Quản Trị Viên

    upload_2022-7-28_15-44-24.png
    Cuối những năm 80 của thế kỷ XX, vật lý học đã có sự chuyển hướng đối tượng nghiên cứu chính từ các vật liệu bán dẫn khối có cấu trúc ba chiều sang bán dẫn thấp chiều. Các hệ bán dẫn thấp chiều là những hệ có cấu trúc phẳng hai chiều như giếng lượng tử, cấu trúc một chiều như dây lượng tử và cấu trúc không chiều như chấm lượng tử [6]. Một trong những cấu trúc thấp chiều đang được quan tâm nghiên cứu là chấm lượng tử. Chấm lượng tử là cấu trúc giam giữ hạt vi mô trong cả ba chiều không gian. Cấu trúc này đang được ứng dụng phổ biến trong việc chế tạo linh kiện điện tử và quang điện tử. Một trong những ứng dụng đó là chế tạo ra máy tính quang điện tử dựa trên sự nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học của exiton
    • Luận văn thạc sĩ vật lý
    • Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán
    • Người hướng dẫn: PGS. TS. Đinh Như Thảo
    • Tác giả: Phan Thị Ái Nhị
    • Số trang: 68
    • Kiểu file: PDF_TRUE
    • Ngôn ngữ: Tiếng Việt
    • Đại học Sư phạm - Đại học Huế 2017
    Link Download
    https://drive.google.com/file/d/1TwT7qRR9LmRDr-rCQy8XzH8JoSp1Jo9K
    https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1
     

Share This Page