Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Khuếch Tán Đồng Thời Tạp Chất Và Sai Hỏng Điểm Trong Silic

Nghiên Cứu Khuếch Tán Đồng Thời Tạp Chất Và Sai Hỏng Điểm Trong Silic​

Nghiên cứu tổng quan về vật liệu Si và khuếch tán trong vật liệu Si. Nghiên cứu mở rộng định luật lực tổng quát, định luật Onsager và định luật Fick, tìm ra sự tương thích và đồng nhất giữa định luật Onsager và định luật Fick làm cơ sở để áp dụng cho bài toán khuếch tán đồng thời B và sai hỏng điểm trong Si. Phát triển, hoàn thiện bài toán và hệ phương trình khuếch tán đồng thời B và sai hỏng điểm trong Si. Phát triển lý thuyết giải số hệ phương trình khuếch tán đồng thời B, I và V trong Si để tìm ra được phân bố cuả B và sai hỏng điểm trong Si. Thảo luận kết quả, áp dụng để lý giải các kết quả thực nghiệm và các hiện tượng khuếch tán dị thường. Mô phỏng quá trình khuếch tán động của B và sai hỏng điểm trong Si.

• Luận án tiến sĩ Vật lý
• Chuyên ngành Vật lý chất rắn
• Người hướng dẫn khoa học: PGS. TS. Nguyễn Ngọc Long, GS. TSKH. Đào Khắc An
• Tác giả: Vũ Bá Dũng
• Số trang: 132
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại quốc gia Hà Nội 2011

Link Download
http://dlib.vnu.edu.vn/iii/cpro/DigitalItemViewPage.external?lang=vie&sp=1023921&sp=T&sp=3&suite=def
https://drive.google.com/uc?id=11L4bhvMTKqLZG3Bhq7q3ZMpwMFIt8WNU
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1