Luận Văn Thạc Sĩ Nghiên Cứu Quy Trình Mạ Không Điện Cực Hướng Đến Ứng Dụng Chế Tạo Ăng-Ten Cho Thẻ RFID

Nghiên Cứu Quy Trình Mạ Không Điện Cực Hướng Đến Ứng Dụng Chế Tạo Ăng-Ten Cho Thẻ RFID​

Hiện nay, các ăng-ten cho thẻ RFID có thể được sản xuất bằng công nghệ quang khắc (photolithography) và phún xạ (sputtering) tại Phòng Thí nghiệm Công nghệ Nano (LNT) - Đại học quốc gia TP. HCM. Tuy nhiên, do một ăng-ten RFID hoàn chỉnh phải có độ dày lớp kim loại xấp xỉ 10μm trong khi một lớp phún xạ kim loại đồng chỉ dày khoảng vài trăm nanomet, chúng tôi quyết định chỉ dùng phương pháp phún xạ để chế tạo lớp nền. Bước tiếp theo để hoàn thiện ăng-ten là phủ đồng lên lớp nền đồng đã phún xạ bằng phương pháp mạ có sử dụng điện cực truyền thống. Quy trình này đã được nghiên cứu tại LNT và cho độ dày đồng đều trên toàn bộ ăng-ten. Bên cạnh đó, chúng tôi sẽ nghiên cứu sâu hơn về công nghệ chế tạo nhằm góp phần làm giảm chi phí sản xuất. Rõ ràng quy trình mạ điện cần sự kết nối giữa mạch cần mạ với nguồn dòng bên ngoài. Nhưng điều này lại không thực tế đối với một dây chuyền sản xuất bởi vì mỗi ăng-ten phải có giá thành rất rẻ và như vậy chúng phải được sản xuất liên tục với số lượng lớn. Phương pháp khả thi hơn là mạ không cần điện cực.

• Luận văn thạc sĩ Vật liệu và Linh kiện nanô
• Chuyên ngành Vật liệu và Linh kiện nanô
• Người hướng dẫn khoa học: PGS. TS. Đặng Mậu Chiến
• Tác giả: Trần An Định
• Số trang: 64
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Quốc gia Hà Nội 2014

Link Download
http://dlib.vnu.edu.vn/iii/cpro/DigitalItemViewPage.external?lang=vie&sp=1055815
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1