Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Tính Chất Điện Tử Của Vật Liệu Hai Chiều Monochalcogenide

Những đóng góp mới của luận án Luận án nghiên cứu các tính chất điện tử của các vật liệu hai chiều monochalcogenide nhóm III và các cấu trúc bất đối xứng Janus được hình thành từ các vật liệu monochalcogenide nhóm III bằng phương pháp lý thuyết hàm mật độ. Các kết quả mới của luận án chỉ ra rằng: 1. Tất cả các vật liệu hai chiều đơn lớp monochalcogenide nhóm III MX (M = Ga, In; X = S, Se, Te) đều là những bán dẫn có vùng cấm xiên trong khi các vật liệu Janus monochalcogenide nhóm III M2XY (X/Y = S, Se, Te; X ≠ Y) có thể là những bán dẫn có vùng cấm thẳng hoặc xiên. Đặc biệt, Janus GaInXO có thể là bán dẫn hoặc kim loại tùy thuộc vào cấu hình sắp xếp của các lớp nguyên tử. Hiệu ứng tương tác spin–quỹ đạo không chỉ làm giảm độ rộng vùng cấm mà còn làm xuất hiện sự phân tách các vùng trong cấu trúc vùng năng lượng điện tử của các đơn lớp Janus M2XY. Tuy nhiên, ảnh hưởng của hiệu ứng tương tác spin–quỹ đạo lên các đặc trưng điện tử của các đơn lớp MX là không đáng kể.

• Luận án tiến sĩ Vật lý
• Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
• Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS. Nguyễn Ngọc Hiếu PGS.TS. Bùi Đình Hợi
• Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi
• Số trang: 142
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Sư phạm - Đại học Huế 2022

Link Download
http://luanvan.moet.edu.vn/?page=1.13&view=39306
https://drive.google.com/file/d/1QTUFcjbtnx9ldv6eK4fD-wsOAWkagErN
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1