Luận Văn Thạc Sĩ Nghiên Cứu Và Chế Tạo Màng Chống Phản Xạ Bằng Vật Liệu Si3Nx Siox Dùng Cho Pin Năng Lượng Mặt Trời

Nghiên Cứu Và Chế Tạo Màng Chống Phản Xạ Bằng Vật Liệu Si3Nx Siox Dùng Cho Pin Năng Lượng Mặt Trời​

Trong các thành phần cấu tạo nên tế bào quang điện (pin mặt trời), màng chống phản xạ phủ trên bề mặt của tế bào quang điện đóng vai trò hạn chế sự phản xạ lại của ánh sáng tới. Do đó, ánh sáng phản xạ lại từ bề mặt về phía tiếp xúc p-n (chuyển tiếp p-n (xem 1.2.5)) được tăng cường. Dẫn đến, tế bào quang điện có thể sản sinh dòng quang điện lớn hơn, hay hiệu suất chuyển hoán năng lượng lớn hơn (xem 1.3.1 và 1.3.2) Màng chống phản xạ sử dụng vật liệu SiNx và SiOx được chế tạo từ máy PECVD PlasmaLab 80plus tạo thành hai lớp màng phủ bên trên đế Silic đơn tinh thể. Khi ta phủ màng SiOx chiết suất thấp hơn màng SiNx phía bên trên thì ta đã có sự tăng cường phản xạ lại từ bề mặt đi về phía tiếp xúc p-n. Đặc biệt khi góc tới (góc hợp với phương pháp tuyến của bề mặt) đủ lớn thì ta có hiện tượng phản xạ toàn phần, sự chống phản xạ lại môi trường tới (không khí) xảy ra tốt nhất ( mục 3.2.4), ánh sáng phản xạ lại từ bề mặt về phía tiếp xúc p-n được tăng cường là điều mà ta mong muốn.

• Luận văn thạc sĩ Khoa học và công nghệ Nanô
• Chuyên ngành Vật liệu và Linh kiện nanô
• Người hướng dẫn khoa học: TS. Nguyễn Trần Thuật
• Tác giả: Nguyễn Đình Nghĩa
• Số trang: 104
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Quốc gia Hà Nội 2012

Link Download
http://dlib.vnu.edu.vn/iii/cpro/DigitalItemViewPage.external?lang=vie&sp=1012156
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1