Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Và Chế Tạo Pin Mặt Trời Cu(Zn,Sn)(S,Se)2 Và Cu(In,Ga)(S,Se)2

Discussion in 'Chuyên Ngành Vật Liệu Điện Tử' started by quanh.bv, Jun 17, 2017.

  1. quanh.bv

    quanh.bv Guest

    [​IMG]
    Nghiên Cứu Và Chế Tạo Pin Mặt Trời Cu(Zn,Sn)(S,Se)2 Và Cu(In,Ga)(S,Se)2
    1. Nghiên cứu và chế tạo thành công lớp màng Mo dày khoảng 1000 nm bằng phún xạ, cấu trúc màng như sau: lớp dưới dày khoảng 100 nm (150 WDC, 13 mtorr); lớp giữa dày khoảng 700 nm (150 WDC, 13 mtorr); lớp trên dày khoảng 200 nm (80 WRF, 4 mtorr). Màng ổn định cả trước và sau khi Selen hoá ở nhiệt độ trên 500 °C và có điện trở bề mặt khoảng 1,2 W/☐, phù hợp cho các ứng dụng chế tạo Pin mặt trời CZTSSe và CIGSSe. Kết quả được công bố trong tạp chí ISI (DOI 10.1515/gps-2016-0021).
    2. Nghiên cứu và chế tạo màng AgNW/ZnO bằng bằng cách phủ ZnO lên màng dây Bạc AgNW theo phương pháp ALD. Phương pháp này đã giảm điện trở bề mặt AgNW từ 20-40 xuống còn 7-15. Màng AgNW/ZnO thu được tốt nhất có điện trở bề 7-12 W/☐ và độ truyền qua vào khoảng 76% tại bước song 550 nm. Nghiên cứu này cho thấy màng AgN/ZnO phù hợp với ứng dụng là điện cực cửa sổ của Pin mặt trời CZTSSe và CIGSSe . Kết quả được công bố trong tạp chí ISI (DOI 10.1088/0957-4484/27/33/335202).
    • Luận án tiến sĩ Vật liệu
    • Chuyên ngành Vật liệu điện tử
    • Người hướng dẫn khoa học: TS. Nguyễn Duy Cường, TS. Nguyễn Việt Hưng
    • Tác giả: Phạm Anh Tuân
    • Số trang: 122
    • Kiểu file: PDF
    • Ngôn ngữ: Tiếng Việt
    • Đại học Bách Khoa Hà Nội 2017
    Link Download
    http://luanvan.moet.edu.vn/?page=1.9&view=28899

     

Share This Page