Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Và Chế Tạo Pin Mặt Trời Cu(Zn,Sn)(S,Se)2 Và Cu(In,Ga)(S,Se)2

Nghiên Cứu Và Chế Tạo Pin Mặt Trời Cu(Zn,Sn)(S,Se)2 Và Cu(In,Ga)(S,Se)2​

1. Nghiên cứu và chế tạo thành công lớp màng Mo dày khoảng 1000 nm bằng phún xạ, cấu trúc màng như sau: lớp dưới dày khoảng 100 nm (150 WDC, 13 mtorr); lớp giữa dày khoảng 700 nm (150 WDC, 13 mtorr); lớp trên dày khoảng 200 nm (80 WRF, 4 mtorr). Màng ổn định cả trước và sau khi Selen hoá ở nhiệt độ trên 500 °C và có điện trở bề mặt khoảng 1,2 W/☐, phù hợp cho các ứng dụng chế tạo Pin mặt trời CZTSSe và CIGSSe. Kết quả được công bố trong tạp chí ISI (DOI 10.1515/gps-2016-0021).
2. Nghiên cứu và chế tạo màng AgNW/ZnO bằng bằng cách phủ ZnO lên màng dây Bạc AgNW theo phương pháp ALD. Phương pháp này đã giảm điện trở bề mặt AgNW từ 20-40 xuống còn 7-15. Màng AgNW/ZnO thu được tốt nhất có điện trở bề 7-12 W/☐ và độ truyền qua vào khoảng 76% tại bước song 550 nm. Nghiên cứu này cho thấy màng AgN/ZnO phù hợp với ứng dụng là điện cực cửa sổ của Pin mặt trời CZTSSe và CIGSSe . Kết quả được công bố trong tạp chí ISI (DOI 10.1088/0957-4484/27/33/335202).

• Luận án tiến sĩ Vật liệu
• Chuyên ngành Vật liệu điện tử
• Người hướng dẫn khoa học: TS. Nguyễn Duy Cường, TS. Nguyễn Việt Hưng
• Tác giả: Phạm Anh Tuân
• Số trang: 122
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Bách Khoa Hà Nội 2017

Link Download
http://luanvan.moet.edu.vn/?page=1.9&view=28899
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1