Luận Văn Thạc Sĩ Nghiên Cứu Vật Lý Linh Kiện Và Thiết Kế Transistor Hiệu Ứng Trường Xuyên Hầm Có Cấu Trúc Pha Tạp

Nghiên Cứu Vật Lý Linh Kiện Và Thiết Kế Transistor Hiệu Ứng Trường Xuyên Hầm Có Cấu Trúc Pha Tạp Đối Xứng​

Nhờ hoạt động dựa trên cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm chất bán dẫn, đặc tính tắt-mở của transistor hiệu ứng trường xuyên hầm có độ dốc dưới ngưỡng rất lớn mà có thể vượt qua giá trị giới hạn vật lý 60 mV/decade của MOSFET truyền thống. Nhờ có độ dốc dưới ngưỡng nhỏ hơn 60 mV/decade rất nhiều (ở nhiệt độ phòng), transistor hiệu ứng trường xuyên hầm có tiềm năng lớn để được ứng dụng cho các vi mạch công suất thấp. Một trong các hạn chế của TFET là nó có cấu trúc pha tạp bất đối xứng.

• Luận văn thạc sĩ Vật lý
• Chuyên ngành Vật lý kỹ thuật
• Người hướng dẫn: PGS.TS Nguyễn Đăng Chiến
• Tác giả: Trần Thị Kim Anh
• Số trang: 78
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Học viện Khoa học và Công nghệ 2020

Link Download
https://drive.google.com/uc?id=1dOTkOdZe-p9U9GNXzrKgfK82c00vCUWQ
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1