Luận Án Tiến Sĩ Nghiên Cứu Vật Lý Và Công Nghệ Pin Mặt Trời Màng Mỏng Cấu Trúc Đảo Glass-ZnO-In-CdS-CuInS2-Metal

Nghiên Cứu Vật Lý Và Công Nghệ Pin Mặt Trời Màng Mỏng Cấu Trúc Đảo Glass-ZnO-In-CdS-CuInS2-Metal Chế Tạo Bằng Phương Pháp Phun Phủ Nhiệt Phân Toàn Phần (FSPD)​

Trình bày tổng quan về pin mặt trời màng mỏng, vật liệu CuInS2 và pin mặt trời trên cơ sở lớp hấp thụ CuInS2. Nghiên cứu phương pháp phun phủ nhiệt phân để lắng đọng các lớp chức năng trong pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo thủy tinh /ZnO:In/CuInS2/kim loại. Nghiên cứu các tích chất vật lý và xác định quy trình công nghệ lắng đọng lớp hấp thụ trong pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo thủy tinh/ZnO:In/CdS/CuInS2/kim loại. Nghiên cứu các tính chất vật lý và xác định quy trình công nghệ lắng đọng lớp cửa sổ và lớp đệm trong pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo thủy tinh/ZnO:In/CdS/CuInS2/kim loại. Chế tạo thử nghiệm và khảo sát các thông số quang điện của pin mặt trời cấu trúc thủy

• Luận án tiến sĩ Vật lý
• Chuyên ngành Vật lý kỹ thuật
• Người hướng dẫn khoa học: GS. TS. Võ Thạch Sơn PGS. TS. Vũ Thị Bích
• Tác giả: Trần Thanh Thái
• Số trang: 194
• Kiểu file: PDF
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Bách khoa Hà Nội 2012

Link Download
http://dlib.hust.edu.vn/handle/HUST/4823
https://nitroflare.com/view/2B143C9E94B17BC
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1