Luận Văn Thạc Sĩ Tích Hợp Tụ Điện Sắt Điện Màng Mỏng Pbzr0,4Ti0,6O3 Chế Tạo Bằng Phương Pháp Dung Dịch

Tích Hợp Tụ Điện Sắt Điện Màng Mỏng Pbzr0,4Ti0,6O3 Chế Tạo Bằng Phương Pháp Dung Dịch Trên Đế Đơn Tinh Thể​

Nghiên cứu và phát triển màng mỏng sắt điện nhằm định hướng cho những ứng dụng trong bộ nhớ sắt điện (FeRAM), các sensor, hay thiết bị vi cơ điện tử (MEMS/NEMS) đã và đang diễn ra rất mạnh mẽ và đa dạng trong những năm gần đây. Vật liệu oxit cấu trúc tinh thể dạng perovskite, chẳng hạn như PbZr0,4Ti0,6O3 (ký hiệu là PZT), có những ưu điểm vượt trội như độ phân cực điện dư lớn, trường kháng điện nhỏ thích hợp với các thiết bị hoạt động ở thế thấp và nhiệt độ kết tinh có thể hạ thấp hơn so với một số loại vật liệu sắt điện khác. Trong nghiên cứu này, chúng tôi tập trung vào khảo sát và cải thiện chất lượng màng mỏng PZT trên đế đơn tinh thể STO(111), thay thế cho đế đa tinh thể SiO2/Si truyền thống, dựa theo cơ chế màng mỏng mọc định hướng từ mầm tinh thể có độ lệch mạng nhỏ. Trước tiên, màng mỏng Pt đã được tối ưu trên đế đa tinh thể TiO2/SiO2/Si, sau đó áp dụng điều kiện tối ưu cho đế đơn tinh thể bằng phương pháp phún xạ.

• Luận văn thạc sĩ Khoa học
• Chuyên ngành Vật lý chất rắn
• Người hướng dẫn khoa học: TS. Bùi Nguyên Quốc Trình
• Tác giả: Vũ Thị Huyền Trang
• Số trang: 79
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học quốc gia Hà Nội 2015

Link Download
http://dlib.vnu.edu.vn/iii/cpro/DigitalItemViewPage.external?lang=vie&sp=1067089&sp=T&sp=4&suite=def
https://drive.google.com/uc?id=1QYQoWkxCsEFQ2oKNad9aDs4cu592EPst
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1