Luận Văn Thạc Sĩ Tính Toán Lượng Tử Cho Dây Nano Sắt Điện BaTiO3

Tính Toán Lượng Tử Cho Dây Nano Sắt Điện BaTiO3​

Trình bày các khái niệm cơ bản về phương pháp phiếm hàm mật độ, xuất phát từ việc giải quyết bài toán hệ nhiều hạt bằng cơ học lượng tử, từ những lý thuyết đầu tiên của Thomas và Fermi, các phương pháp xấp xỉ khi giải các bài toán này. Giới thiệu ngắn gọn các lí thuyết của Hohenberg-Kohn, Kohn-Sham và các phương pháp xấp xỉ hiện đại được sử dụng trong Dmol3 (phương pháp LDA và GGA). Đề cập đến các định lý cơ bản làm nền tảng cho lý thuyết phiếm hàm mật độ. Cách thức hoạt động của Dmol3 và mô hình xây dựng tính toán cũng được nêu ra một cách chi tiết. Đưa ra những kết quả nghiên cứu chính đối với các perovskite dạng khối và màng mỏng CaMnO3 có pha tạp Yttrium sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ với sự hỗ trợ của gói chương trình Dmol3. Các kết quả tính toán đều được biện luận về mặt vật lý.

• Luận văn thạc sĩ khoa học
• Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán
• Người hướng dẫn khoa học: GS. TS. Bạch Thành Công
• Tác giả: Nguyễn Văn Chinh
• Số trang: 72
• Ngôn ngữ: Tiếng Việt
• Đại học Quốc gia Hà Nội 2011

Link Download
http://dlib.vnu.edu.vn/iii/cpro/DigitalItemViewPage.external?lang=vie&sp=1022122&sp=T&sp=3&suite=def
https://drive.google.com/uc?id=1eGP9NG73gXjNMWOfFR4vDtkS9biVg2z3
https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1